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    當(dāng)前位置:首頁(yè)   >    產(chǎn)品中心   >       >       >   GDAT-A高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品展示

    高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

    型 號(hào)GDAT-A

    更新時(shí)間2024-11-21

    廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

    報(bào)價(jià)

    產(chǎn)品描述:高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)特點(diǎn):
    ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
    ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
    ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
    ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

    產(chǎn)品概述

     高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn): 

    ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

    ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

    ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

    ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

    ◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

    ◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

    ◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。


    高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

    2.1 tanδ和ε性能:

    2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

    2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

    tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

    2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

    tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

    工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

    Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

    可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

    電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

    Q表殘余電感值:約20nH



    電感器:

    按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

    例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。


    高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
    在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

    該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。



    裝置:

    2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
    2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
    2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
    2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
    2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
    2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4


    主要技術(shù)特性:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。


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